共2个品种：

材料：壳体采用铝合金6061，盖板采用激光焊适配的铝合金；壳体导热率：≥125 W/( m?K)；其他指标符合GJB2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。

共2个品种：

材料：适合布线导体≤7mΩ/□的高温共烧氧化铝陶瓷；最大承载电流：单通道≥8A，双通道≥10A；低电阻端导通电阻：≤20mΩ；导体方阻：≤7mΩ/□；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。

共2个品种：

材料：Al2O3,4J42；隔离电压：CSOP16-1.27≥3500Vrms；CSOP16-0.635≥1500Vrms；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。

共3个品种：

材料：氧化铝陶瓷,封接环和盖板用4J42铁镍合金；耐压（KV）≥3.5（CDFN4-1.27)；耐压（KV）≥2（CDFN6-1.27、CDFN8-1.27)；恒定加速度：30000g；平面度：≤0.05㎜；其它指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。

0.8mm节距高速FC-CLGA外壳

主要材料：氧化铝陶瓷瓷件、可伐封口环；节距：0.8mm；最高应用采样速度：5GSPS；模拟端信号最高频率：24GHz；插入损耗S21：≤1dB(24GHz)；

电压驻波比：VSWR：≤1.5(24GHz)；导体方阻：≤15mΩ；高速信号路数：≥4；其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。

1707WP0006

SMD阵列陶瓷外壳系列

材料：氧化铝陶瓷，热沉乌铜、钼铜，封口环4J29或4J42。单元个数：≥2个；密封区平面度：≤50μm；输入/输出端电阻：≤20mΩ；热阻θjc：≤2℃/W；其它指标符合GJB 1420B-2011《半导体集成电路外壳通用规范》。

1707WP0007

钼铜衬底LTCC一体化封装外壳

引出端数：22、25，其中射频引出端数：7、5；材料：底板钼铜、环框可伐、LTCC基板；结构：腔体式结构、平行缝焊结构；高频性能（Ka、Ku波段）：驻波比≤1.3dB；插损≤0.3dB；其他指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。

1707WP0008

U波段平面传输型陶瓷外壳

材料：可伐墙体；钼铜/钨铜基板；氧化铝陶瓷绝缘子；封装形式：带法兰陶瓷绝缘子金属外壳形式；应用频率：40～60GHz；传输线端子回波损耗：≤-10dB（@40～60GHz）；传输线端子插损：≤3dB（@40～60GHz）；射频隔离度：≥30dB（@40～60GHz）；其他指标符合GJB923《半导体分立器件外壳通用规范》

品种1：产品外形尺寸：φ6mm；通光孔直径: ≥φ2.5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: ≥30000g。

产品2：产品外形尺寸：φ9mm；通光孔直径: ≥φ3mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)； 最大抗过载能力: ≥30000g。

产品3：产品外形尺寸：φ15mm；通光孔直径: ≥φ5mm；透过率: ≥99%(λ=905nm)；最大抗过载能力: 轴向≥16000g，径向25000g。

其他指标符合GJB 5438 《光电器件金属外壳通用规范》

基体材料：不锈钢；结构：腔体式平行缝焊结构；高频传输端子（自制）电压驻波比：≤1.25（Freq≤26.5GHz），≤1.35（Freq≤40GHz），≤1.5（Freq≤65GHz）；其它指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。

材料：光窗：硒化锌，绝缘子：氧化铝陶瓷，底板：钨铜，边框：铁镍合金，引线：4J29。产品结构：采用陶瓷-金属封装；关键指标：光透率99%以上，工作波段3～12μm；其它指标符合GJB5438-2005半导体光电子器件外壳通用规范。

基体材料：可伐、冷轧钢作为基体材料；封盖形式：平行缝焊（2个品种）和储能焊（2个品种）；绝缘子：玻璃绝缘子和陶瓷绝缘子；气密性、PIND指标按GJB548相关标准执行；引线数：10～30。

分立器件用外壳：300℃24h稳定性烘焙、按GJB548中方法1010试验条件F循环500次、125℃1000h寿命试验或按产品详细规范试验后，键合强度试验符合标准且不脱键；至少两种外壳：包含SMD外壳和TO外壳；引线包含100μm、200μm、380μm3种直径铝丝；提供金属外壳粗铝丝键合失效模式分析报告、失效机理分析报告、粗铝丝键合金属外壳在线和出厂的键合检验规范或标准（推荐）、粗铝丝键合的金属外壳使用手册。